年下半年启动的二十二号厂，则是直接瞄准未来的七纳米工艺，争取在后年进行试产，大后年，也就是17年做到量产。”
“江城储存那边的十九号厂以及二十号厂，十九号厂主要生产先进内存工艺，二十号厂则是闪存工厂。”
今天的会议，主要还是讨论逻辑芯片领域（CPU/GPU等），所以这储存芯片（运行内存以及闪存）领域，丁成军就说的不多，简单提一嘴就掠过，把话题重新集中到逻辑芯片领域。
只听丁成军继续道：“基于工艺研发以及工厂的高度关联性，我们采取一边建设一边研发的模式，确保在我们的未来新一代工艺获得突破之后，工厂方面就能做好相应的生产准备。”
“而不是和现在这样，我们的工厂建设落后于我们的工艺研发速度！”
“毕竟现在的工艺推进速度是比较快的，工厂方面也要提前建设，不然来不及。”
“我们的研发团队判断，未来几年来，随着多重曝光技术以及3D晶体管技术等技术的逐渐成熟，将会高速推进工艺的发展。”
“我们的研发团队判断，尤其是梁松教授的意见是，最迟今年年底，我们就能够完善十四纳米工艺，进而开始各项测试，为量产进行准备，预计明年上半年就能够投入生产，整体的技术进步速度是比较快的。”
“后年则是有望进一步推动到十纳米工艺。”
“大后年则是推动到七纳米工艺！”
“因为上述一系列的工艺进步，都是基于现有的多重曝光技术以及3D晶体管技术的深度挖掘推进，受到光刻机物理极限的限制，晶体管上的栅极长度技术推进上，整体幅度是比较小的，可能就是两纳米，甚至一纳米的微小进步。”
“更主要的工艺进步还是基于3D晶体管的设计以及多重曝光技术的提升，而这方面我们的工艺研发部门有比较大的信心。”
“我们的技术团队判断，在推进到等效七纳米工艺之前，我们不会遇到太大的关键性技术难题，倒是等效七纳米之后的工艺推进会非常麻烦，但这并不是工艺的问题，而是光刻机的问题。”
“我们的等效七纳米工艺的前期研发里，准备采用的技术就是使用现有的DUV浸润式光刻机进多重曝光，只是这样做生产效率低，而且良率也低，成本会比较高。”
“技术部门认为，如果要实现比等效七纳米更低的工艺，最好还是使用光源波长更短的EUV光刻机，继续使用DUV浸润式光刻机的话，在成本上很难接受，商业化比较困难。”
“当然，现在没有EUV光刻机，时间也太早，我们暂时不谈比七纳米更小的未来工艺，我们目前聚焦的还是十八纳米，十四纳米，十纳米以及未来七纳米这四个可以基于现有DUV浸润式光刻机生产的工艺节点。”
“基于工艺技术的快速进步，我们也需要做好相应的先进生产线的提前准备工作，因此新项目的投资建设是必须的。”
“毕竟工艺的提升，和芯片工厂的技术提升是密不可分的，也是相辅相成的，不然光有工艺没有工厂也无济于事。”
对这个说法，徐申学在内的其他人也表示同意，这个亏他们在今年算是吃上了，决不能明年继续吃这种亏。
智云微电子十八纳米工艺的进度落后，除了工艺技术本身难度大有关系外，也和工厂那边的项目进度跟不上有关系。
智云微电子总部基地里，预定用于十八纳米工艺的深城基地十七号工厂，13年十月份才完成设备安装工作，然后后续的收尾调试又用了接近三个月。
一直到今年一月份才开始配合十八纳米工艺项目组，对十八纳米工艺进行各种测试调整工作，二月份，也就是这个月才开始正式试产，但是良
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