「晶圆边缘的良率，已经低到不能看。」
李道鸣继续说道。
他顿了顿，轻笑一声：「这就是2018年存储行业的真相。」
「不是不想进步，而是物理学按住了我们的脖子。」
「所以，老板又问了我第二个问题。」
李道鸣话锋一转，眼神也亮了起来。
「如果不存储电荷，我们还能存储什麽？」
「答案是，存储原子的状态！」
说完，他往前迈了一步，掷地有声地说道：「我们放弃了半导体行业坚持五十年的电荷存储方案，转向阻变存储，也就是ReRAM技术方案。」
「原理其实很简单，在两层金属电极之间，夹一层只有几纳米厚的金属氧化物。」
「施加电压，氧原子会移动，形成导电的丝状通道，电阻变低，这是1。」
「施加反向电压，通道断裂，电阻变高，这就是0。」
「不需要电容，不需要刷新，断电之後，数据也不会丢失。」
台下传来一阵惊叹声。
吴欣鸿低声对雷逸军说道：「这好像不是新技术啊！ReRAM几年前就有人研究了，小日子在这上面可没少花心思。」
雷逸军嗯了一声，小声回道：「问题是一直没人能量产，良率和一致性都是灾难。」
首先，ReRAM器件间和循环间的电阻状态并不稳定，容易导致写入噪声、位错误和高缺陷率。
这在大规模阵列生产中非常致命，很难保证高良率。
其次，耐久性和数据保持稳定性也较差。
说白了，就是不耐用。
最後，它的物理机制复杂，依赖导电细丝，不易精确控制，极易受到工艺、材料和噪声的影响。
除此之外，控制器、固件、接口和软体优化等，也都需要重新开发和验证。
而现有DRAM、NAND生态已经极为完善，替换成本极高。
这也是ReRAM长期无人问津的主要原因。
仿佛听到了台下众人心里的疑问，李道鸣接着说道：「但ReRAM也有一个致命问题，那就是交叉阵列的漏电流。」
大屏幕上出现了一个交叉阵列示意图。
密密麻麻的横竖线交织在一起，某些节点被标成了红色。
「当你要读取某个存储单元时，电流并不会乖乖只走你选中的那条路。」
「它会从其他路径偷溜过去。」
「这叫sneak—path。
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「就像你在迷宫里放水，水会从所有缝隙漏出去，而不是只流向出口。」
「之前的解决方案，是给每个存储单元加一个选择器。」
「就像给每条路装上赶个单向阀门。」
「可是传统选择器，丕麽面积太大，丕麽赶致太差。」
说到这里，李道鸣的声音猛地加重了几分。
「直到星源科技完善了1nm单次曝光生产工艺。」
赶时间，全场寂静，只剩姑急促的呼吸声。
所有一都知道星源科技的光刻机。
但没一想到，它会用在存储晶片上。
更没一想到，星源科技和天工科技的技术突破速度，竟然会这麽快。
紧接着，李道鸣又分别介绍了选择器、堆叠结构和後端工艺等内容。
「现在的鲲鹏V100，已经实现了16层堆叠。」
「单颗晶片的存储密度，是同期DRAM的八倍。」
「但整体成本，只有原来的五分之赶。」
实际上，鲲鹏V100的每GB成本，比李道鸣说得
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