• 首页
  • 上一页
  • 目录
  • 下一页
  • 书架

《军阀李枭从1916开始》

第428章 从锗到硅的跨越
终化为一汪闪烁着刺眼白光的液态硅熔池。温度稳定在一千四百五十度左右。

    “降下籽晶杆。”

    在单晶炉的顶部,一根通过精密伺服电机控制的金属拉杆缓缓下降。拉杆的末端,夹着一小块具有完美晶格取向的单晶硅籽晶。

    这是生长的种子。

    当籽晶的尖端刚刚接触到液态硅熔池的表面时。

    相变在液固交界面瞬间发生。

    在热力学平衡中,液态硅原子接触到温度稍低的籽晶,失去了热运动的动能。它们没有杂乱无章地凝固,而是像士兵列队一样,严格按照籽晶原有的晶格排列方式,一层一层地在籽晶下方堆积、结晶。

    “接触良好。形成半月形弯月面。开始提拉。”

    李刚操作着控制台上的旋钮。

    籽晶杆开始以每分钟几毫米的极度缓慢速度向上提拉,同时以每分钟几十转的速度进行旋转。而在下方,装满硅液的石英坩埚则以相反的方向缓慢旋转。

    随着籽晶的上升,硅液被拉出液面,在冷却区的氩气吹拂下凝固。一根圆柱形的硅棒,像变魔术一样,从液态熔池中缓缓“长”了出来。

    这个过程对温度梯度的控制要求苛刻到了变态的程度。

    如果加热功率稍高一千瓦,刚刚结晶的硅棒底部就会重新融化掉回坩埚;如果功率稍低一千瓦,液态硅就会大面积结晶,将坩埚撑破。

    李刚必须像走钢丝一样,时刻盯着液面的光晕变化,手动微调加热功率。

    在提拉过程中,一个致命的干扰出现了。 由于石英坩埚壁面的温度高于中心,液态硅在坩埚内形成了强烈的马兰戈尼热对流。

    高温硅液从边缘上升,流向中心,再下沉。 这种湍流式的流场,导致从石英坩埚壁溶解下来的微量氧原子,被源源不断地卷入生长界面的硅晶格中。

    晶棒直径出现波动。孪晶现象发生!在显微结构下,原本应该完美单一的晶格,因为热流的扰动和氧杂质的嵌入,突然发生了晶向的改变,长出了另一个晶核。这就好比原本笔直生长的树干突然长出了分叉。 这种长有孪晶的硅棒,在电学性能上完全是废品。

    为了压制这种热对流。物理学家们在单晶炉外部加装了一组巨大的超导电磁铁。

    利用法拉第电磁感应定律,在导电的液态硅熔池中施加一个强大的恒定磁场。当液态硅在磁场中流动时,会切割磁感线产生感应电流,感应电流在磁场中又受到洛伦兹力的作用,这个力在刚好与硅液流动的方向相反。

    这就形成了一个强大的磁阻尼效应。原本波涛汹涌的硅液熔池,在磁场的镇压下,变得如同死水一般平静。氧杂质的对流输送被大幅度削减。

    经过长达数周的反复失败和参数调整。

    一九四八年十二月十日。

    当单晶炉的拉杆最终升至顶端,真空腔室冷却充气后打开。

    一根直径七十五毫米、长达五十厘米,通体呈现出深灰色金属光泽且毫无瑕疵的单晶硅棒,展现在了所有工程师的面前。

    大西北在材料学上,终于攀爬过了最艰难的那座硅基山峰。

    但有了纯净的单晶硅棒,距离制造出能够在高温下稳定工作的晶体管,还有最后一道技术门槛。

    早期的锗晶体管采用的是点接触工艺。那是用两根极其细小的金丝,在显微镜下手工扎在半导体表面。这种结构不仅难以进行大批量流水线生产,而且抗震性能极差。

    既然硅的表面在空气中极易形成一层致密的二氧化硅绝缘层。大西北的工程师们决定反其道而行之,利用这层玻璃作为掩膜,开发出一种全新的、彻底颠覆微电子制造历史的工艺——平面光刻工艺。

    西京物理研究院,超

    -->>(第3/5页)(本章未完,请点击下一页继续阅读)
  • 加入书签
  • 上一页
  • 目录
  • 下一页
Copyright shukugu.com 返回首页
顶部