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陈云海继续往下看技术参数。存储单元结构、页大小、块大小、擦写次数、数据保持时间、读写IO带宽。每一个参数后面都附了台积电流片验证报告的对应截图和编号。
他把几个关键参数抄到了笔记本上，和自己脑子里三星、东芝同规格产品的公开数据做了一轮对比。
红星这枚颗粒的读写速度比三星同容量产品低了大约20%以上。
擦写寿命也短了不少，起码25%。
但是——
能跑。
数据能对得上。
参数在合理范围内。
陈云海把笔搁下来，摘了眼镜，用手掌按了按眼眶。
当了二十多年院士，评审过的芯片项目少说也有上百个。
那些年华夏的半导体圈子里什么幺蛾子都出过，假数据、改良率、甚至花钱买国外的die回来重新封装贴个国产标签。
汉芯的事情到现在还是整个行业的奇耻大辱。
所以陈云海对任何宣称国产突破的材料，本能的第一反应就是不信，先证伪，再考虑信不信。
但蔡永芯这份报告里的数据，他挑不出毛病。
不是完美的那种挑不出，反而是那些不完美的地方让他觉得可信——读写速度比三星低15%，擦写寿命短一到两成，良率78%不算高——这恰恰是一个真正的首次流片芯片应该有的水平。
如果所有参数都和三星一模一样甚至更好，那才有鬼。
陈云海重新戴上眼镜，拿起电话打给了赵利剑。
“赵部长，材料我初步看了。”
“陈院士，怎么样？”
“纸面上挑不出明显问题，但我需要看实物，看完整的设计文档和流片Wafer的测试报告原件。”
陈云海停了一下。
“赵部长，如果这枚芯片是真的，你知道这意味着什么。”
“我知道。”
“那就安排个时间，我要当面验证。
两天后，工信部七楼的小会议室里坐了五个人。
赵利剑坐在长桌的主位，右手边是陈云海，左手边是电子信息司的李文海。
对面是蔡永芯，以及陈星安排留在帝都配合工作的陆远江。
陆远江面前的桌上摆着三样东西。
一个亚克力盒子，里面躺着那枚黑色的NAND颗粒。
一份装订成册的技术文档，厚度超过两厘米。
一个移动硬盘，里面存着台积电出具的完整流片测试报告。
陈云海没有先看文档，而是先把那枚芯片取了出来。
他从自己的包里掏出一只便携放大镜和一把防静电镊子,镊子夹起芯片翻到背面，放大镜凑到距离芯片大约三厘米的位置。
陈云海看了足有半分钟，期间没有任何人出声。
会议室里安静到能听见空调出风口的嗡嗡声。
“die的面积大约在多少？”陈云海开口问，眼睛没离开镜片。
“67平方毫米。”陆远江答道。
陈云海把放大镜放下，在脑子里算了一下。32nm制程、1GB容量、67平方毫米的die面积，这个数字和三星同期的K9F8G08U0M相比偏大了约12%，属于首次投片的正常偏差范围。
他把芯片放回盒子里，伸手翻开了那本技术文档。
文档的第一章是存储单元结构设计。陈云海从第一页开始看，看了大约十页后把手指按在其中一张电路示意图上。
“这个浮栅结构的隧穿氧化层厚度你们取了多少？”
“7.2纳米。”陆远江不需要翻文档，直接回答。
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